单纯的从成像解像力上来讲，电子束光刻技术比EUV光刻更具优势
文章图片
文章图片
【|单纯的从成像解像力上来讲，电子束光刻技术比EUV光刻更具优势】
对于传统的光学光刻技术 ， 由于器件的特征尺寸不断减小(已经远远小于其光刻波长) ， 光波通过掩膜版(reticle也称mask)造成的光学衍射效果愈加明显 。 而光刻的作用就是将掩膜版上的图形转移到硅片各层材料上 。 在衍射作用下 ， 光刻胶上得到的实际图形结果与掩膜版设计图形会出现一定偏差 ， 尤其是图形互邻的地方图形失真最严重 ， 这里也包含干涉效果的综合作用 ， 这便是光刻中光学邻近效应的由来 。
当然也因此相应的产生了一些辨率增强技术(RET)比较常见的就是光学邻近效应矫正技术(OPC) ， 其大致思路采取了光学设计的逆向思维 ， 简单点说就是哪里少了 ， 对应设计的版图就多画一点 。 但实际过程 ， 这一过程也需要基于模型或者基于规则去反推出可补偿光学邻近效应的设计图 。
在恰恰在光学衍射问题上 ， 电子束光刻技术拥有得天独厚的优势 。 比如当加速电压为50KV时代 ， 其波长仅为0.0055nm ， 想一想现在台积电最尖端的技术也就2纳米 。 也就是说采用电子束光刻时根本无需考虑衍射效应 。 也许说到这 ， 肯定有人要问电子束光刻既然这么厉害 ， 为什么现在还没用于晶圆生产？
个人觉得以下两点是致命因素:1.邻近效应 ， 虽然没了光学衍射的影响 ， 自身由于电子在抗蚀剂或者基板中的散射和背散射造成的图像失真 。 2.效率极低 ， 由于电子束光刻通常采用超细的电子束斑(一般只有几纳米) ， 而步距最小时不到1nm 。 因此曝光的速度十分缓慢 ， 这与工厂产能是相悖的 。
不过电子束光刻技术却广泛应用于掩膜版的制备 ， 尤其是高精度掩膜版的制造可以说是必须要由电子束直写光刻技术完成 。 同时它也是实验室进行微纳米光刻技术研究与开发最为理想的方式 。 我国早在上世纪60年代就在中科院黄兰友教授的带领下与其他科研所联合研制电子束光刻机 。 由于种种原因 ， 尽管我们起步的很早 ， 但仍然还是在设备研发还是研究上 ， 与国外存在很大差距 。 还是那句话 ， 科研还是要持续走出实验室走进工厂 ， 实现真正的产研结合 ， 方能促进技术发展 。
推荐阅读
- 三星堆三大未解之谜，考古学家都无从下手，一旦解开或将颠覆历史
- 它们的智商已经高到人类无法理解，即使还没有爬到食物链顶端！
- 揭秘陶乐德事件：男子在拘留室离奇消失，难道平行时空真的存在？
- “男孩失踪案”始末：七个孩子共同守护的死亡秘密，竟是弥天大谎
- 2008年安徽宿州一场兄弟争媳引发的人伦悲剧
- 大西洋和太平洋的神奇分界线，两侧海水泾渭分明，难道是刻意安排
- 古今鸟类巨无霸的对比：恐鸟体型超过鸵鸟数倍，可惜死在了长矛下
- 关于鹦鹉螺的知识，造型可爱的‘活化石’
- 地球冷却速度远超预期！或成为第二个火星，人类应该何去何从？
- 真的存在“布罗肯幽灵”吗？那个隐藏在云雾中的巨人，到底是谁？