华林科纳半导体----Cu杂质对Si(110)湿法蚀刻的影响( 二 )


AEA方法是局部相互作用驱动模型和全局高度相关方案之间的折衷 。 虽然每次吸附都会在与IEA中的相互作用范围相等的区域放大活性场 , 但在杂质解吸后活性仍会保留 。 因此 , 不需要像在IEA中那样 , 最有利的吸附位置彼此相邻 。 相反 , 有利地点在同一地区频繁出现就足够了 。 这使得铜掩模更加稳定 。 重要的是 , 几个铜团簇可以共存 , 所以我们在模拟中看到许多小丘 。 另一方面 , 这种方法不像HEA那样绝对 , 所以没有一个小丘控制着系统 。
结论
我们已经使用KMC方案模拟了硅(110)的蚀刻 , 该方案包括可能吸附在表面上并充当钉扎剂的蚀刻剂杂质 。 在本研究中 , 我们着重于铜作为钉扎杂质的作用 。 第一次 , 梯形小丘的结构分析和其稳定性的现场特定条件导致了它们的模拟 。 模拟小丘的抽象几何结构与理论分析完全一致 , 与实验观察到的形貌十分吻合 。 我们观察到铜的聚集是小丘形成的必要条件 。 如果发生聚集 , 由密度泛函理论计算得到的铜在最有利位置的特定吸附足以驱动该机制 。 第一性原理计算表明铜原子之间存在吸引力 。 结合这种吸引的蒙特卡罗模拟表明 , 它确实可以导致所需的铜团簇 。 除了交互模型 , 我们还实现并分析了另外两个驱动铜聚集并导致小丘增长的计算方案 。 本研究表明 , 有一个适用于(100)和(110)上金字塔形和梯形小丘的小丘稳定性通用模型 。

推荐阅读