硬件|半导体疯狂扩产面临隐忧：存储器涨势反转或迎价格暴跌( 五 )_半导体疯狂扩产面临隐忧：存

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▲ DRAM 季度出货额及出货量变化（1991-2021 Q2）
那么 DRAM 价格上涨的影响有多大？从下图中按集成度划分的 DRAM 出货量可以看出，目前生产的 DRAM 大部分是 4G、8G 和 16G 。

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▲ 按集成度划分的 DRAM 月出货量（1991 年 1 月-2021 年 6 月）
由下图可见，高集成度 DRAM（例如 8G）的合约价上涨了 1.44 倍。

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▲ 标准化的各种 DRAM 合约价（2020 年底-2021 年 8 月）
我们来算一下为什么 DRAM 出货量从 2020 年 Q4 到 2021 年 Q2 会快速增长。

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▲ 2020 年 Q4 至 2021 年 Q2 DRAM 出货量增长背后的因素
DRAM 出货额从 149.86 亿美元增至 235.3 亿美元（1.57 倍）
DRAM 出货量从 48.88 亿个增加到 55.29 亿个（1.13 倍）
主流的 DDR4_8G 合约价从 2.85 美元涨至 4.1 美元（1.44 倍）
（出货量系数 1.13）x（涨价系数 1.44）= 1.62
如上所述，DRAM 出货量增长幅度（1.57 倍）与出货量增长 1.13 倍、主流 DRAM 价格增长 1.44 倍的乘积值（1.62 倍）大致相当。
因此，可以说这张图中 DRAM 出货额的增加是由出货量和价格上涨两方面因素共同造成的。一开始汤之上隆以为出货量的增加会带来更大影响，但后来发现价格上涨反而会带来更大的影响。

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▲ DRAM 出货量季度出货量及数量变化（~2021 Q2）
08. NAND 现货价走势难解
汤之上隆也对 NAND 进行了现货价和合约价的分析。首先，下图展示了 2020 年 12 月 31 日~2021 年 9 月 17 日期间各种 NAND 的现货价走势。

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▲ 各种 NAND 的现货价（2020 年 12 月 31 日~2021 年 9 月 17 日）
SLC 是 Single Level Cell, MLC 是 Multi Level Cell, TLC 是 Triple Level Cell，分别是可以在一个存储器单元中写入 1 位、2 位、3 位的 NAND 。另外 3D TLC 是 3D NAND 的意思，没有 3D 的 NAND 都是 2D NAND 。
继续看上面这张图，可以看到 3D TLC 1T（1TB）是最高的，SLC 1G 和 SLC 2G 是最便宜的，除此之外没有规律。