2019年,谁是SoC的集成双模5G基带的元勋?( 二 )
集成双模5G-TSMC 7nm EUV工艺的英雄
5G基带芯片的面积不小 , 这就是为什么很难将5G基带集成到SOC中的原因 。 此时 , 需要7nm EUV工艺来提供帮助 。 EUV工艺(极紫外光刻)是一种非常先进的芯片生产工艺 。 使用该工艺可以有效地增加芯片的晶体管密度并降低功耗 。
麒麟990 5G处理器使用了台积电的7nm + EUV工艺 , 与普通的7nm工艺相比 , 其进化上的改进更高 。 晶体管密度提高了20% , 性能提高了10%以上 。 消耗降低了15% 。 麒麟990 5G是世界上第一款拥有超过100亿个晶体管的移动终端芯片 , 达到了103亿个晶体管 , 但是麒麟990 5G芯片的面积并没有增加太多 。
同样 , 高通骁龙765G也采用7纳米EUV工艺制造 , 与8纳米工艺相比 , 功耗降低了35% 。 得益于先进的工艺技术 , Snapdragon 765G集成了Snapdragon X52调制解调器和RF系统 , 并支持SA / NSA双模 。
集成双模5G SOC将成为未来的主流
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