UFS 3.1发布: 改善了速度和功率效率( 二 )_通用闪存存储（称为UFS）是旗舰手机和

UFS 3.1的发布版本JESD220E随新的可选新配套标准JESD220-3：UFS主机性能增强器（HPB）扩展而宣布。

UFS 3.1 JESD220E标准对UFS 3.0进行了三项关键改进。首先，它具有Write Booster ，这是一种SLC非易失性缓存，可提高写入速度。其次，称为DeepSleep的新型UFS设备低功耗状态针对的是低成本系统，该系统与其他功能共享UFS稳压器。最后，它具有性能限制通知，当存储性能被限制为高温时，该通知使UFS设备可以通知主机。在这里使用SLC非易失性缓存可能是最关键的功能，因为这将有助于提高实际性能。这项技术用于使用移动NVMe SSD的设备，例如Apple iPhone和iPad 。而且，固态硬盘已经支持所有这些功能，因此在UFS 3.1中包含这些功能将有助于缩小两者之间的差距。

JESD220-3主机性能增强器（HPB）扩展）提供了将UFS设备逻辑到物理地址映射缓存在系统DRAM中的选项。 JEDEC指出：“对于大密度的UFS设备，使用系统DRAM可提供更大，更快的缓存，从而提高设备的读取性能” 。

JEDEC UFS继续与MIPI联盟进行合作，以形成其互连层。它引用了MIPI M-PHY v4.1物理层规范和MIPI UniPro v1.8传输层规范。