中科院突破3纳米晶体管！未来制造高端芯片指日可待，将领先世界多国( 三 )_中兴华为事件后

然而，殷华湘还指出，目前，当3纳米晶体管大规模投入生产时，仍有一些重大的障碍需要克服。其中之一是关于同一空间中电子的分布。毕竟，当芯片上安装了更多的晶体管时，芯片工作时产生的热量很容易把自身烧毁。从相关消息中也可以知道，目前，在3纳米晶体管的研发方面，世界上很多国家的芯片企业都在从事研发。

其中，韩国三星表示，预计明年上半年完成3纳米晶体管的研发工作。这就是为什么殷华湘说：“我们在研究和开发3纳米晶体管的突破是非常重要的。 ”它的出现意味着在芯片研发的前沿，我们已经开始了与世界顶尖厂商的直接竞争。过去，我们只能远远地看。从旁观者到直面对战的转变，显示了中国在芯片领域的进步。

目前，三星并没有透露他们未来3纳米晶体管制造芯片的技术何时投入生产，但这种晶体管未来肯定会出现，这种晶体管只用一半电力就可以提高35%的功率性能。而现在这就是值得我们激动的地方，因为我们拥有专利，我们比其他国家更早地在这一方面取得突破。换言之，外国要想取得同样的突破，就必须突破我们的技术壁垒。曾几何时，西方在这些高尖端科技方面对我们限制，这回终于可以让他们感受一下我们国家的技术壁垒了！