东芝为何要推出XL-Flash？从存储结构和延迟说起( 三 )
高带宽代表更接近于DRAM内存的读写速度 ， 使其能够在部分环境下部分替代内存的作用 。 低延迟则是针对NAND闪存的痛点所在 ， 着力于提升4K随机读写效能 ， 提高响应速度 。
高速写入需求：
NAND闪存的读取一直在提速 ， 在升级Toggle闪存接口之后 ， BiCS闪存能够支撑起PCIe4.0以及下一代PCIe技术下对于固态硬盘顺序读取速度的需求 。
但相对而言写入速度依然是个比较大问题 。 这个原因应该是比较容易理解的 ， 目前TLC已经取代MLC成为主流 ， 未来还会发展出QLC甚至是PLC闪存 ， 存储容量增长同时 ， 写入速度不可避免的有所牺牲 。 尽管东芝存储提出将在BiCS5上使用4Plane结构来提振写入效能 ， 但同读取相比 ， 写入依然是短板 。
XL-FLASH除了使用SLC构型之外 ， 还一举将Plane数量提高到16个 ， 彻底释放了闪存的并发存取能力 。
内存扩充的需要：
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