H20R1203到底能不能用IRF 250代换？详细分析( 二 )
IRF250属于N沟道的场效应管（MOSFET） ， 其最高工作电压（Vds）为200V ， 最大漏极电流为30A ， 饱和内阻RDS=85mΩ ， VGS电压驱动范围为±20V ， VGS≥6V管子才饱和 ， 工作温度范围-55℃~150℃ 。
IGBT和场效应管有什么区别？
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IGBT属于绝缘栅双极型晶体管 ， 是将场效应管和三极管复合在一起 ， 充分利用场效应管和三极管的有点 。 IGBT具有高电压、输入阻抗高、热稳定性好、电压驱动型、大电流等优点 ， 一般用于高压、大电流、大功率场合 ， 功率几千瓦、几十万瓦不等 。
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场效应管也属于电压驱动型 ， 其输入阻抗高、内阻小、开关速度快 。 场效应管应用在低压小电流场合优势比较明显 。
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IGBT和场效应管绝大部分场合都是作为电子开关使用 ， 那么它们之间到底有什么不同呢？IGBT最主要的优势就是高压、大电流、大功率 ， 一般在几百伏以上、几千瓦、几万瓦、几十万瓦等场合使用 。 在高压大电流大功率场合使用时 ， 其压降几乎不变 ， 约为1.2V~2V左右 ， 过载能力强 ， 不容易损坏 。 而场效应管一般在低压、中小电流、中小功率下使用 ， 一般都在1000W以下的功率使用 ， 低压低电流时 ， 使用场效应管优势更大 ， 因为场效应管的内阻小 ， 在低电流场合下压降低 ， 而且开关速度要比IGBT快 。
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