东芝和西数正研发128层3D NAND闪存：最早2020年上市

2019-03-07

新酷产品第一时间免费试玩，还有众多优质达人分享独到生活经验，快来新浪众测，体验各领域最前沿、最有趣、最好玩的产品吧~！下载客户端还能获得专享福利哦！

IT之家3月7日消息根据外媒的报道，东芝及其战略盟友西部数据准备推出更高密度128层3D NAND闪存。在东芝的命名法中，该芯片将命名为BiCS-5。

据介绍，芯片将实现TLC，而不是更新的QLC。这可能是因为NAND闪存制造商仍然对QLC芯片的低产量有担心。该芯片的数据密度为512 Gb，新的128层芯片的容量比96层芯片多33%，可以在2020到2021年实现商业化生产。

据报道，新芯片每单位信道的写入性能从66 MB / s增加到132 MB / s。据报道，该芯片还采用了CuA（阵列电路），这是一种设计创新，节省了15%的芯片尺寸。

推荐阅读

上一篇：潘石屹晒出中兴首部5G手机还调侃了好友一番

下一篇：手机号码用了5年以上的沈阳人快看！喜讯来了！现在知道还不晚！