手机电脑能否实现完全自主？国产替代崛起( 七 )_自去年中美贸易摩擦爆发以来

而在“硬盘”方面，长江存储的大名相信很多读者曾经有所耳闻，长江存储于2017年成功研发中国首颗32层3D NAND闪存芯片。长江存储技术有限公司首席技术官程卫华最近在接受媒体采访时表示，该公司即将大规模生产64层3D NAND闪存。

三星电子和SK海力士正在将90层工艺应用于3D NAND闪存的生产。SK海力士在去年完成研发后，开始大规模生产96层NAND闪存。三星计划在今年下半年推出100层NAND闪存。目前这些全球领先的存储企业，都已经在致力于128层NAND闪存的研发。

长江存储成功批量生产64层NAND闪存，与三星的技术差距将显著缩小至两年左右。为了尽快缩短与国外厂商的差距，长江存储在闪存技术上采取了跳跃式发展，32层堆栈仅小量生产，64层堆栈是今明两年生产的主力，再下一代则会直接进入128层堆栈。

相对于处理器，我们的存储芯片其实发展的更为不易，完全可以用“充满挑战，危机四伏”来形容。充满挑战是因为我们刚起步，技术相对落后。而危及四伏，则表明了阻力不仅仅来自美国，韩日系的存储芯片也给我们带来了极大的冲击。

屏幕：规模强大持续创新

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