新一代超低功耗存储器曝光：或将取代内存和闪存( 三 )_业界普遍认为未来从数据中将能挖掘出最

文章中指出，虽然不同形式的传统（基于电荷）存储器非常适合应用于计算机和其他电子设备，静态随机存取存储器（SRAM），动态随机存取存储器（DRAM）和闪存（Flash）具有互补的特性，它们分别非常适合在高速缓存、动态存储器和数据存储中的发挥作用。然而，他们又都有自身的缺点。这就意味着市场需要新的存储器，特别是，同时实现稳定性和快速、低压（低能量）的矛盾要求已证明是具有挑战性的。

研究团队报告了一种基于III-V半导体异质结构的无氧化浮栅存储器单元，其具有无结通道和存储数据的非破坏性读取。非易失性数据保留至少100000s?，通过使用InAs/AlSb的2.1eV导带偏移和三势垒共振隧穿结构，可以实现与≤2.6V的开关相结合。低电压操作和小电容的组合意味着每单位面积的固有开关能量分别比动态随机存取存储器和闪存小100和1000倍。因此，该设备可以被认为是具有相当大潜力的新兴存储器。

具体结构方面，这是一种新型低压，化合物半导体，基于电荷的非易失性存储器件的概念进行设计、建模、制造适合室温运行。利用AlSb / InAs惊人的导带阵列进行电荷保持，以及形成谐振隧道势垒，使研究团队能够证明低压（低能耗）操作与非易变储存。该器件是由InAs / AlSb / GaSb异质结构构成的FG存储器结构，其中InAs用作FG和无结通道。研究团队通过仿真验证了器件的工作原理，并给出了器件的关键存储特性，如编程/擦除状态的保留特性，并给出了在单个元件上的实验结果。