国产内存年底量产但前路依旧漫漫( 六 )_本月初

据知情人透露，紫光集团借助长江存储和武汉新芯的平台，聚集了大量的3D NAND和DRAM的工艺研发人员，工艺研发人员人数近2000人。目前长江存储和武汉新芯的员工人数近6000人。

需要指出的是，紫光自主研发内存可能需要3到5年时间，这意味着即便2021年厂房建好了，内存生产也只可能是小批量的，大规模的量产可能要等2022年了。

技术来源都是奇梦达？未来发展或受限

从前面的介绍来看，长鑫存储和紫光集团的DRAM技术来源似乎主要都是奇梦达。

而奇梦达的DRAM技术主要以沟槽式DRAM技术为主，而当前美光、三星等DRAM大厂都采用的是堆栈式技术。

DRAM的制造中以电容定义的方法区分，主要分为堆栈式（Stack）和深沟槽式（Trench）电容器两大类型。沟槽式DRAM的电容在栅极下方，堆栈式DRAM的电容器则在栅极上方，是这两种DRAM最大的差异。

在沟槽式DRAM的制造中，必须先在基板蚀刻出沟槽，然后在沟槽中沉积出介电层，以形成电容器，然后在电容器上方再制造出栅极，构成完整的DRAM Cell。

国产内存年底量产但前路依旧漫漫( 六 )