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【芯片|年底量产！国内芯片巨头正式官宣！新一代N+1工艺的芯片来了】

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芯片已经成为现在智能设备的核心，无论是传统的PC、手机，还是新型的智能手表、智能手环以及AR全息眼镜等设备，都离不开芯片。
尤其是当下， 5G发展飞快，国内将会在今年年底建成覆盖地级以上城市的5G网络，并实现县镇等地区有重点的覆盖，也就是说，物联网也将加速到来。
在这样的情况下，国内就需要更多的芯片，毕竟万物联网，要在更多设备中加入强大的处理器和5G通讯芯片，只有这样才能够保证玩物联网的正常运转。

目前，很多国内厂商都能够自研处理器以及5G通讯基带等，像华为研发的海思系列、紫光展锐的虎贲以及春藤系列，中兴等厂商也能够研发先进制程的芯片。
但在芯片制造方面，国内厂商能够量产的14nm制程的芯片，而12nm制程的芯片，还在小范围试生产过程中。不过，更多设备都是采用14nm或者28nm制程的芯片。
据悉，生产7nm以下的芯片，需要EUV光刻机，但该光刻机仅有ASML能够生产。

意外的是，即便是没有EUV光刻机，国内芯片巨头中芯也在先进芯片制造方面找到了新方法。
根据中芯梁梦松博士早些时候的表态可知，其开创了属于自己的新工艺芯片制造方法。
其中， N+1工艺和14nm相比，性能提升了20% ，功耗降低了57% ，逻辑面积缩小了63% ， SoC面积减少了55% 。
另外， N+1代工艺在功耗及稳定性上跟7nm工艺非常相似，但性能略差，主要面向低功耗。

关键是， N+1之后还会有N+2 ，这两种工艺在功耗上表现差不多，但N+2的性能会更强，成本也更随之增加，简单说就是， N+1主打低功耗， N+2主打高性能。
量产时间上， N+1工艺预计在2020年底试生产，而N+2工艺需要到2021年底试上生产。
近日，中芯方面正式官宣，其第二代FinFETN+1已进入客户导入阶段，可望于2020年底进行小批量试产，也就是说，新一代N+1工艺的芯片来了。

也就是说，国内芯片巨头如期兑现新一代N+1工艺，年底量产。如果用三个字来形容的话，国内芯片巨头完全是“好样的” 。
之所以这么说，主要是因为两点。
首先，中芯在技术进展很快，在2019年底完全攻克14nm工艺后，紧接着拿下了12nm的工艺，已经开始试生产。
如今，中芯又如期攻克的N+1工艺，也就是说，在一年多的时间里，就相当于实现了3次巨大的技术进步，毕竟英特尔还停留在14nm和12nm至今也没拿下7nm 。

其次，中芯已经表示， N+1工艺和14nm相比，性能提升了20% ，功耗降低了57% ，逻辑面积缩小了63% ， SoC面积减少了55% 。
从性能、功耗以及逻辑面积等方面综合评估，这样的技术已媲美台积电8nm工艺的芯片，无论是从时间还是技术上看，中芯地进步都是飞快的。
等到N+2工艺在2021年底量产之后，其芯片技术性能将会进一步提升。

再加上， ASML已经官宣要加快在中国市场布局，无论是向国内厂商提供更多光刻机还是售后维护维修服务等，这都将大大提升中芯等厂商的芯片研发和制造技术。
也正是因为如此，才说中芯国际好样的。对此你们怎么看，欢迎留言、点赞、分享。