芯片|国产芯片的希望，中企攻克技术难题！不用高端光刻机，试产8nm_中芯国际|光刻机|it芯片|重器

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自华为之后，美国又将黑手伸向中芯国际。路透社爆料，美国国防部有意将中芯国际拉入“实体清单”之中。对此，国际半导体产业协会与美国半导体行业协会都表达了不支持的态度，他们认为，这将对美半导体行业造成打击，或将产生50亿美元的年损失。

而且，这对中芯国际来说也将造成不小的影响。为此中芯国际在第一时间作出回应，否定了其“涉军”的传言。同时，中芯国际也在加紧突破新工艺，以掌握更多的自主权。众所周知，高端光刻机是制造更高精度芯片的关键，并能够大大降低生产成本。

目前，在高端光刻机领域ASML处于独孤求败的状态。其100%垄断EUV光刻机，并占据ArFi光刻机市场88%的份额。在2018年，中芯国际便曾向ASML下单，定下一台光刻机。但如今在这台光刻机迟迟不到的情况下，中芯国际早已另辟蹊径，通过对制造工艺的改进，来实现突破。

2019年第四季度，中芯国际实现14nm工艺制程量产，将中国芯片工艺带上了新高度。如今，其14nm产能正逐步提升，并与诸多客户开展了合作。而在近来，中芯国际的第二代FinFET N+1工艺也取得了阶段性成功，官方表示，该工艺已进入客户导入阶段，在今年年底有望实现小批量试产。

据了解，与上代相比第二代FinFET N+1工艺，在性能提升将近20%的同时，功耗还降低了7% 。此外，面积还将大幅缩减63% ，表现令人瞩目。根据台积电计算方式，中芯国际的N+1工艺，与8nm工艺制程很是接近。通过对技术难题的不断克服，中芯国际即便不用高端光刻机，试产8nm ，让人振奋。

虽然，中芯国际与已经实现5nm量产的台积电与三星相比，还有不小的差距，但依然令人瞩目。在如今国际环境严峻、中美贸易摩擦不断的情况下，掌握更多的技术，才是生存之道。不过接下来，中芯国际想要实现更高精度制程，将会更艰难。

没有高端光刻机，仍是我国芯片产业之痛。但是，高端光刻机的核心零部件技术门槛高，而且想要实现全产业链更是不易。因此，摆在国产芯片面前的，是一堵堵高墙，挡住了前行的道路。这也要求我国相关企业全力以赴，携手共同攻克难题。
【芯片|国产芯片的希望，中企攻克技术难题！不用高端光刻机，试产8nm】文/BU 审核/子扬校对/知秋