银纳米线有巨大的应用潜力!弯曲纳米线的标准( 三 )

为了改进昂贵的商用芯片 , 这些芯片含有一种非常脆弱的膜来支持纳米颗粒 , Batra和Da Costa在纳米制造核心Labat KAUST的Ahad Syed的帮助下 , 现在已经提交了他们自己的专利 , 这种芯片不需要膜就可以使用 。 研究人员将银纳米线从铂电极上悬浮在定制的TEM芯片上 , 施加一系列电压 , 直到纳米线因电流加热而失效 。 发现 , 当直线型纳米线达到一定的高电流密度时 , 在局部结构缺陷决定的点上容易断裂 。

当纳米线从一开始就弯曲时 , 可以看到更有趣的行为 。 这些样品往往会在高压下弯曲而不是折断 , 并且显示出一种自愈的能力 , 因为它们通过电线外部的碳涂层保持在一起 。 一些纳米线甚至在失败之前就显示出共振振动 , 比如吉他弦上的谐波 。 许多设备预计会被终端用户反复弯曲和扭曲 , 这意味着将银纳米线的电响应研究局限于直线结构是不现实的 , 研究结果表明 , 使用弯曲的纳米线而不是笔直的纳米线 。

可以将此类器件的故障率降到最低 , 自愈能力可以有效地延缓电路故障 。 许多一维金属纳米结构被提出作为下一代电子器件的互连线 。 一般来说 , 关于电荷输运特性的研究 , 考虑了具有本质上直结构的纳米线(或纳米管)中的低电流密度区域 。 在这种情况下 , 直接观察相互连接纳米丝电气故障是罕见的 , 特别是对于最初弯曲的结构 。 研究采用原位透射电镜分析了悬浮银纳米线在电流密度增大时的电响应和结构响应 。

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