牛！ 科创板上的“高通”出现了！| 檀市场( 五 )
在半导体制程的过程中，需要经历光刻、刻蚀、沉积、退火、氧化等多重工艺，其中最为核心、难度最大的两个就是光刻和刻蚀，所对应的两种设备一种叫光刻机、一种叫刻蚀机。
简单来说，光刻机就是把电路图投影到硅片上，而刻蚀机就是根据格局印上去的图案把多余的部分的腐蚀掉。
有一个很经典的比喻，如果说光刻机是半导体行业的屠龙刀，那么刻蚀机就是倚天剑。
这种刻蚀设备一般分为分为两种，一种叫电容等离子刻蚀设备（CCP），另外一种叫电感性等离体刻蚀设备（ICP），CCP主要是用来刻蚀氧化物、氮化物等硬度比较高的介质材料，而ICP只要是用来刻蚀单晶硅、多晶硅等材料。
一般来说，ICP的技术要比CCP要牛逼一些。
而中微公司目前所研发的CCP刻蚀设备，已经涵盖了65 纳米、 45 纳米、32 纳米、 28 纳米、 22 纳米、 14 纳米、 7 纳米到 5 纳米关键尺寸的众多刻蚀应用。
公司的ICP设备涵盖的是14纳米、7纳米和5纳米关键尺寸的应用。
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