O2Micro推出高效极速充电方案( 二 )_您使用的IntelCPUIMVP和GPU是否释放出

(图二)

适配器的过电流保护设计,通常是随着过电流的比例增加,延迟保护的时间变短。在面对多变的系统“loading”设计上,工程师往往只能透过拉低Adapter OCP level for PROCHOT#的准位,来避免”突来的短暂系统大电流”触发到适配器保护点而断电。

其实在这样的调整下,虽然避免了触发适配器的保护,但也牺牲了系统的效能。为此, 凹凸科技(O2Micro)的OZ26786提供高低两阶的准位设定。在高电流的设定准位有较短的延迟保护时间,较低的电流准位则较长。如此系统可以不用因为短暂的大电流,而调低适配器警示(PROCHOT#)电流准位。进而提升系统效能。

实际应用案例：系统上最大的负载,莫过于CPU及GPU chipset。而它们的负载表现,除了持续的平均值外,还包含了峰值电流。我们透过外接的电子负载 (1.5A load)来仿真持续的系统负载,再加上执行3DMark程序。

在使用原始充电IC设计,仅单一个适配器电流准位的警示(PROCHOT#)功能。其PROCHOT#是频繁的被触发(图三)。跑出的3DMark分数为P14161(图四)。