新型氧化钼二维材料问世 可用于晶体管传感器

新型氧化钼二维材料问世 可用于晶体管传感器

据俄罗斯卫星通讯社 , 莫斯科国立钢铁合金学院国家研究型技术大学(MISIS)与内布拉斯加大学林肯分校(美国)积极开展二维材料合成及其性能研究领域内的合作 , 并在纳米技术科学期刊中发表了关于氧化钼(MoO2)方面的工作成果 。

二维材料的创建和研究是现代材料科学中年轻且非常有前景的领域 。 二维材料的特征在于其厚度非常小(通常小于1纳米) , 因此它们可用于创建现代电子设备上使用的分层异质结构 , 比如晶体管、传感器、太阳能电池和发光二极管等 。

莫斯科国立钢铁合金学院国家研究型技术大学研究人员德米特里?穆拉托夫表示 , 他们通过化学沉积法从气相中获得了二维材料氧化钼 , 然后使用分析方法对其进行全面研究 , 并将进一步研究如何利用这些成果 。 “已经显示出所得材料的导电性、以及能够空气中、不同性质的基材上获得稳定且非常薄的导电MoO2层(在这种情况下为晶体)方面的积极成果 。 ”他表示 , 新材料可用于创建异质结构和纳米器件 , 如晶体管、传感器、光电探测器等 。

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