台积电计划2022年量产3nm工艺 已有客户参与开发( 二 )
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三星此前曾披露，将在3nm工艺节点使用基于纳米片(nano-sheet)的环绕式栅极(Gate-All-Around) MBCFET晶体管结构，工艺节点简称3GAAE。从14nm开始的FinFET晶体管结构将会被正式放弃。
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