工信部韦乐平：国内5G投资将达1.5万亿！元器件行业机遇在哪？(21)_毫无疑问

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目前在中高频器件中， GaAs应用较多，但是GaAs的产能却高度集中。 2018年全球砷化镓元器件市场（含IDM厂组件产值）总产值约为88.7亿美元，前四大厂商占比高达73.4% 。 2018年砷化镓晶圆代工厂市场规模为7.5亿美元。其中，稳懋市占率为71.1% 。

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在当前使用的 4G 终端和基站中， PA 依赖于 LDMOS、GaAs 以及 SiGe 工艺， GaN 在基站 PA 的市场中也有所增加。但是由于 sub-6G 的使用和 LDMOS 受限于 3GHz 的原因， GaN PA 和 LNA 更有可能使用在基站系统中，而 GaAs 和 SiGe 放大器可以继续适用于 sub-6GHz 。为了降低成本和减小尺寸，在 SOI上集成 RF 电路更有可能在 5G 毫米波应用中使用。未来的射频前端可能会将 PA、LNA、开关和控制毫米波相控阵列波束赋形天线系统集成在一起，使用的工艺是 RF SOI、 SiGe BiCMOS、或者 RF CMOS SoC制程。而以上这些变化，也给基站射频放大器市场的格局变化带来了新的机会。未来该领域的市场寡头格局将有望改变。