比QLC更不耐用的PLC颗粒被低估了：这些应用领域你想不到( 二 )
先来具体了解一下PLC闪存
众所周知，自NAND Flash发展至今，闪存颗粒已经进行了四次革新。
根据NAND闪存颗粒内部排列的电子单元密度的不同，闪存颗粒有了如今的SLC、MLC、TLC、QLC闪存之分。
其闪存颗粒的存储密度得到了很大的提高，单位Bit的成本也得到极大降低。
可随着电子结构层数的增加，闪存写入时产生的电压变化也就逐级递增，其写入性能和可靠性也在下降。
像QLC闪存每个cell单元可以存储4位电荷，总共就是有4x4=16组电压变化，控制起来复杂让写入速度变慢，可靠性也更差。
而这次在闪存峰会上所展示的5bit/cell的PLC（Penta-level cell）闪存，其存储密度比QLC更高，这意味着其对主控、电路设计的要求也更高，PLC闪存需要主控准确控制32路电压，挑战可谓是相当大。
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