中芯国际|首款基于中芯国际“N+1”工艺的芯片成功流片，美国断供失效_芯片|it芯片|重器

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近日，首款基于中芯国际“N+1”工艺的芯片成功流片，这意味着中芯国际在没有EUV光刻机的情况下，实现了8nm制程工艺。为什么说是8nm ，不是7nm呢？“N＋1”工艺是中芯国际在第一代先工艺14nm量产之后的第二代先进工艺的代号。中芯国际CEO梁孟松此前公布的信息显示， N＋1工艺和现有的14nm工艺相比，性能提升了20% ，功耗降低了57% ，逻辑面积缩小了63% ， SoC面积减少了55% 。

N＋1代工艺在功耗及稳定性上跟7nm工艺非常相似，但性能要低一些（业界标准是提升35%），所以中芯国际的N＋1工艺主要面向低功耗应用的。 N＋1之后，中芯国际还会有N＋2 ，这两种工艺在功耗上表现差不多，区别在于性能及成本， N＋2显然是面向高性能的，成本也会增加。所以N+2工艺可以媲美7nm 。

值得一提的是此次与中芯国际一起攻克工艺的芯动科技。自2019年始，芯动在中芯N+1工艺尚待成熟的情况下，团队全程攻坚克难，投入数千万元设计优化，率先完成NTO流片。基于N+1制程的首款芯片经过数月多轮测试迭代，助力中芯国际突破N+1工艺良率瓶颈。

芯动科技与全球知名代工厂已有多年国产IP生态共建的合作，为大量国内和全球客户实现从成熟工艺（55nm、40nm、28nm、22nm等)到先进工艺（如FinFET 14nm、12nm、7nm等）的不断跨越，在各先进工艺中规模IP授权和定制批量生产高端SOC ，包括GDDR6/Chiplet/Serdes等先进技术规模量产，连续多年获得中芯国际“最佳IP合作伙伴”奖。如今，芯动科技基于国产N+1新工艺的率先里程碑NTO流片验证成功，为国产半导体生态链再立新功。

【中芯国际|首款基于中芯国际“N+1”工艺的芯片成功流片，美国断供失效】

其实从这段时间国产半导体领域厂商的表现来看，大家都铆足了劲在进行各种技术攻关。从IP授权、指令集到EDA软件、再到制程工艺、封测技术等都在进步。相信在未来几年，咱们在半导体领域会有会越来越多的技术实现自主可控。