原创<br> 解锁140年物理谜题，IBM开发光电霍尔技术，半导体获取信息翻倍( 四 )
PDL磁阱可以作为各种传感器应用的新平台，现在它对于IBM的新发现起到了促进作用，利用IBM开发的平行偶极线(PDL)陷阱工具，可以为光霍尔实验提供理想的系统，为样品照明分配大量的空间。
新开发的光电霍尔技术允许我们从半导体中提取数量惊人的信息。事实上，与传统的利用霍尔效应导出的三个测量参数相比，该方法最多可以得到七个信息参数。它们包括电子和空穴的迁移率;光下载流子密度;重组寿命;以及电子、空穴和双极性类型的扩散长度。所有这些都可以重复N次，即实验中使用的光强度设置的数量。
这一新发现和技术将有助于推动半导体在现有和新兴技术方面的进步。我们现在拥有可以提取半导体材料更多细节物理特性所需的知识和工具，这一切将有助于加速下一代半导体技术的发展，如更好的太阳能电池、更好的光电子器件以及用于人工智能技术的新材料和器件。
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