芯片|纯国产7nm芯片流片成功，麒麟芯片终于起死回生_中芯国际|台积电|it芯片

【芯片|纯国产7nm芯片流片成功，麒麟芯片终于起死回生】

文章图片

近日芯动科技宣布已完成全球首个基于中芯国际FinFET N+1先进工艺的芯片流片和测试，所有IP全自主国产，功能一次测试通过。 HW前HR表示恭喜中芯国际N＋1流片成功！不过这个工艺性能应该相当于台积电的8nm ，要n+2才是7nm 。但和台积电距离拉到4年以内距离，很不错了。

如果不是美国断供，中芯国际明年可以实现7nm ，和台积电2018年精度一致，相当于落后3年。芯动科技还官宣所有IP全自主国产，功能一次测试通过，这是过去数月工艺迭代和共同努力后获得的里程碑成果。

“N+1”是中芯国际对其第二代先进工艺的代号，其与现有的14nm工艺相比，性能提升20% ，功耗降低57% ，逻辑面积缩小63% ， SoC面积减少55% 。根据中芯国际联席CEO梁孟松表示， N＋1代工艺在功耗及稳定性上跟7nm工艺非常相似，但性能要低一些，所以中芯国际的N＋1工艺主要面向低功耗应用的。在手机上要N+2才让性能相当于台积电的7nm效果。

这个虽然不是中芯国际宣布，但是业相当于确认流片成功，如果量产稳定那相当于工艺都可以。这已经非常了不起，没有EUV ，在使用DUV的情况下就达到接近7nm的水平，说明至少达到了intel的水准。夯实这样的工艺经验积累，一旦EUV光刻机被突破，就能迅速赶超，最后五还是希望华为能使用这款芯片，毕竟现在因为缺芯的问题，导致搭载麒麟芯片的华为手机涨价。