台积电“叛将”立大功中芯国际宣布重大突破谁也没想到来得如此之快( 三 )_随着科技的发展和电子设备的普及

好在中国在2014年出台了集成电路大基金计划，投资上万亿元扶持国内的半导体产业，经过几年的发展，已经出现了像华为海思和中芯国际这样在芯片设计和晶圆制造上领先的龙头企业。近日，中芯国际突然宣布，已经实现了14nm（纳米）芯片的量产，超过台积电南京厂的16nm制程，成为中国大陆最先进的晶圆制造制程。中芯国际在技术上已经追平台联电，仅次于台积电、三星和格罗方德。

中芯国际在短短几年内实现技术的“大跃进”式突破离不开一个人，那就是目前的联席CEO梁孟松。梁孟松是半导体行业著名的技术大牛，长期供职于台积电研发部门，是助力台积电成为芯片制造龙头的关键人物。 2009年，梁孟松突然从台积电离职并在2年后加入韩国三星，仅用三年的时间就带领三星半导体追上台积电的制造工艺，由此遭到台积电的起诉，被称为“台积电叛将” 。

2017年，梁孟松再次跳槽到中芯国际，担任联席CEO ，主要负责中芯国际的先进制程技术研发和瓶颈突破。梁孟松加盟中芯国际前，中芯国际还没有突破28nm制造工艺，仅仅几个月后就攻克了28nm工艺的技术难关。随后梁孟松又力主中芯国际跳过落后的20nm ，直接研发14nm制造工艺。如今中芯国际又实现了14nm芯片的量产，并在12nm技术上进入了客户导入阶段。