中国科技集中爆发，美科技界炸锅了，网友：国产化时代正式到来！( 三 )_在经济全球化的当下

此外在NDND闪存方面，我们的长江存储已经实现64层3D NAND FLASH闪存颗粒量产，明年则直接到128层，并且我们自研的架构，在IO接口速度上，是全球最先进接口的两倍多，是美国美光的近三倍，所以在技术上，我们依然做到了世界最先进，还是那句话，就是产能需要提高，目前也在加速增加新工厂和新的流水线，用业界的话来说就是不愁卖，因为我们的产品不仅技术先进，而且价格更为低廉。

未来物联网时代，中国将会是主战场，所以对于DRAM和3D NDND FLASH的需求将会更加旺盛，而出于供应链安全的考虑，我们的国产存储芯片将会迎来高速发展时期，真正的开始进行国产替代化，仅现在来看，我们每年进口存储器的金额就达到近万亿人民币，如果这上万亿人民币的市场全部由国产替代，那将是一个时代的盛况，我们拭目以待吧。