钼在电子行业有可能取代石墨烯

美国加州纳米技术研究院（简称CNSI）成功使用MoS2（辉钼，二硫化钼）制造出了辉钼基柔性微处理芯片，这个MoS2为基础的微芯片只有同等硅基芯片的20%大小，功耗极低，辉钼制成的晶体管在待机情况下的功耗为硅晶体管的十万分之一，而且比同等尺寸的石墨烯电路更加廉价。而最大的变化是其电路有很强的柔性，极薄，可以附着在人体皮肤之上。

2011年瑞士联邦理工学院洛桑分校（EPFL）科学家制造出全球第一个辉钼矿微晶片（上面有更小且更节能的电晶体）。辉钼是未来取代硅基芯片强力竞争者。领导研究的安德拉斯·基什教授表示，辉钼是良好的下一代半导体材料，在制造超小型晶体管、发光二极管和太阳能电池方面具有很广阔的前景。

同硅和石墨烯相比，辉钼的优势之一是体积更小，辉钼单分子层是二维的，而硅是一种三维材料。在一张0.65纳米厚的辉钼薄膜上，电子运动和在两纳米厚的硅薄膜上一样容易，辉钼矿是可以被加工到只有3 个原子厚的!