TSMC|台积电：2nm芯片将于2025年投产 首次使用GAA技术
第一季度财报电话会议上 ， 台积电报告称正全力以赴地开发下一代工艺节点 。这家半导体巨头计划在今年晚些时候将投产首批 3 纳米工艺 ， 并在 2025 年底前做好 2 纳米工艺的准备 。
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在本次电话会议上 ， 高盛公司的分析师 Bruce Lee 向台积电首席执行官魏哲家（C.C. Wei）询问了 2 个问题 。第 1 个问题是关于通货膨胀和整个经济 ， 魏哲家回答说 ， 台积电作为全球领先的代工企业 ， 有能力应对市场的波动 。
第 2 个问题则是询问了 2 纳米节点的时间表 。魏哲家表示：“我们的 N2 开发正在进行中 。......我们有信心 ， N2将继续保持我们的技术领先地位 ， 支持客户的增长 。而且我们仍然计划在2025年投产 。预生产将在 2024 年开始” 。
据悉 ， 在 N2 上台积电首次使用 GAA FET(全环绕栅极晶体管) ， 逐渐取代 finFET (鳍式场效应晶体管) 。三星已经开始使用他们版本的GAA ， 英特尔计划在2024年实施他们的版本 。一位分析师向魏哲家询问此事 ， 但他避而不答 。
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今年下半年 ， 台积电将把N3工艺投入生产 。一年后 ， 或者可能更早 ， 它将准备将N3E工艺投入生产 ， 这是N3的"增强性能、功率和产量"版本 。
【TSMC|台积电：2nm芯片将于2025年投产 首次使用GAA技术】台积电预测 ， HPC（高性能计算）将是其今年增长最快的领域 。上一季度HPC产生了41%的收入 ， 仅比智能手机产生的40%略高 。物联网和汽车排在第三和第四位 ， 分别创造了8%和5%的收入 。
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