合理设计的 Ti3C2/N、S-TiO2/g-C3N4 三元异质结构与空间电荷分离增强光催化析氢( 三 )





方案1. TC/NST/CN复合材料合成过程示意图 。
2.2.4 。 Pt-N、S掺杂-TiO2/g-C3N4的合成
采用光沉积法合成了Pt负载N、S掺杂-TiO2/g-C3N4复合材料 。 在典型的方法中 , 将0.5 g NS-TiO2/g-C3N4分散在50 ml 10%甲醇水溶液中 , 然后在搅拌条件下向混合物中注入一定量的0.01 M H2PtCl6水溶液 。 将所得溶液抽真空并用150 W氙灯照射约2小时 。 此后 , 将所得样品用去离子水洗涤 , 然后用乙醇洗涤 , 然后在真空烘箱中在80°C下干燥12小时 。 所得样品记为Pt-NST/CN , Pt的负载量为1.0% 。



图1. (a) Ti3AlC2、Ti3C2MXene、N、S掺杂的TiO2和g-C3N4的XRD图谱 。 (b) N、S-TiO2/g-C3N4和TC/NST/CN复合材料在不同 Ti3C2负载量(2 wt%、4 wt%和5 wt%)下的XRD图 。 (c) Ti3C2和4-TC/NST/CN复合材料的拉曼光谱 。



图2. (a) Ti3C2和4-TC/NST/CN复合材料的XPS谱图 。 (b) Ti3C2的(a) Ti 2p、(b) C 1s和(c) O1s的XPS光谱 。






图4. (a) Ti3C2的FESEM图像 。 (b) 4-TC/NST/CN的FESEM图像(c-e) 4-TC/NST/CN复合材料的HRTEM图像 。
HRTEM分析进一步阐明了4-TC/NST/CN复合材料的形貌和微观结构 , 如图4(c-e)所示 。 图4(d)描绘了g-C3N4(红色框部分)的二维层状结构 , 并由N、S-TiO2(蓝色区域包围)纳米粒子和少量 Ti3C2纳米片(用粉色线表示)装饰 。 部分嵌入其表面 。 此外 , 图4(e)中的HRTEM图像显示出清晰的晶格条纹 , 其d间距为0.25 nm和0.36 nm , 这归因于 Ti3C2的(0 0 6)和(1 0 1)面的晶格间距分别为MXene和锐钛矿-TiO2 。 此外 , 黄色虚线表示纳米杂化物组分之间的无缝接合界面 。 结果 , 复合材料中的Ti3C2、N、S-TiO2、g-C3N4之间形成了紧密的异质结 。 这种类型的异质结提供了更多的电子转移通道 , 并促进了光诱导电荷转移和分离效率 。 此外 , HRTEM分析的结果支持FESEM结果 。 此外 , 4-TC/NST/CN复合材料的选区电子衍射(SAED)图案显示出清晰的衍射环 , 这对应于锐钛矿-TiO2和 Ti3C2平面中不同晶面的多晶性质(图S3) 。 此外 , 图S4表示Ti、C、O和F元素在 Ti3C2的能量色散X射线(EDX)映射光谱中的分布 , 这表明在原位HF蚀刻MAX相后Al元素完全消失 。 4-TC/NST/CN复合材料的EDX光谱(图S5)揭示了Ti、C、O、S和N元素的存在 , 进一步证实了 Ti3C2、N、S掺杂的TiO2和g-C3N4 。 加载贵金属Pt的N、S-TiO2/g-C3N4的FESEM图像和EDX元素映射如图 S6所示 。 从图 S6可以看出 , Pt纳米颗粒分布在N、S-TiO2/g-C3N4表面的表面上 。 然而 , 从EDX结果可以证实Pt元素的存在 , 这表明形成了Pt修饰的N , S-TiO2/g-C3N4光催化剂 。



图5. (a)所有合成材料的紫外-可见光谱 。 (b) N、S掺杂的TiO2、(c)g-C3N4、(d) N、S-TiO2/g-C3N4和(e) 4-TC/NST/CN复合材料的Tauc图 。 (f)所有合成样品的PL光谱 。
这里 , ∝ 对应于吸收系数 , h、ν和Eg分别表示普朗克常数、光学频率和带隙能量 , 其中n表示半导体的光学跃迁 。 相应的曲线如图5(b-d)所示 。 根据直接带隙模型 , N、S改性TiO2、g-C3N4和N、S改性TiO2/g-C3N4的光带能量分别评估为2.89 eV、2.7 eV和2.78 eV 。 然而 , 与N S-TiO2(Eg = 2.89 eV)相比 , 由于g-C3N4的存在 , N S掺杂的TiO2/g-C3N4的带隙值相对较低 。 有趣的是 , 在用金属 Ti3C2对N、S-TiO2/g-C3N4进行改性后 , 4-TC/NST/CN复合材料的带隙变窄至2.37 eV(图5(e)) , 这种窄带隙可以增强光收获和促进光催化活性 。



图6. (a)电化学阻抗谱 , (b)瞬态光电流响应 , (c)线性扫描伏安法 , N、S掺杂TiO2、g-C3N4和4-TC/NST/CN复合材料的曲线 。 (d) N、S掺杂的TiO2、g-C3N4、N、S掺杂的TiO2/g-C3N4和4-TC/NST/CN复合材料的Mott-Schottky图 。



图7. (a)光催化析氢速率 , (b)光催化剂的回收活性 。



方案2. (a)电荷分离和转移 , (b)可见光照射下4-TC/NST/CN中析氢的拟议机制 。
【合理设计的 Ti3C2/N、S-TiO2/g-C3N4 三元异质结构与空间电荷分离增强光催化析氢】本文仅用于学术交流 , 不得用于商业用途 。 布巴内斯瓦尔是印度奥里萨邦的首府

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