大多数金属栅极材料在诸如SPM的酸清洗中容易被蚀刻 ， 并且可以被等离子体剥离化学氧化 ， 氧化铪的高k电介质对氧是可渗透的 ， 并且担心氧等离子体会氧化下面的硅 ， 包含氮化学物质的非氧化等离子体也对高k电介质造成风险 ， 其中氮可能会结合到电介质中 ， 可能会降低电子迁移率 ， 因此需要开发限制氮结合到高k电介质中的灰化学物质 。
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