同时 ， 这些覆盖层晶圆也被椭圆偏振法测量 ， 只有1.8μm厚的样品 ， 数据表明 ， 一些二氧化硅较薄的点证实了HF0.5%220s已经完全突破了抗蚀剂 ， 并攻击了下面的材料 ， 尽管如此 ， 一些点表明有一个“更厚”的氧化硅膜 ， 这可以解释为残留在氧化物表面的剩余的氟硅酸盐副产物 ， 使其局部比初始的生长膜值更厚 。
最后在实际设备上进行了一些测试 ， 采用了类似的方法：抗蚀剂涂层 ， HF110A0.5%的分配 ， 抗蚀剂带 ， 在这里研究非常大的电容器 ， 以探索湿式蚀刻剂的垂直渗透 ， 同样的248nmDUV抗蚀剂 ， 虽然C(V)方法已经能够检测到HF110A蚀刻目标的硅氧化物降解 ， 但在实际设备上的参数测试未能检测到它 ， 虽然在HF和SC1之间 ， 通过抗蚀剂的扩散动力学很低 ， 但湿性蚀刻剂的性质对氮化钛-抗蚀剂界面有一些不同的影响 ， 事实上 ， 一旦蚀刻剂到达氮化钛 ， HF就会蚀刻掉氮化钛的天然氧化物 ， 并导致严重的裂纹和抵抗分层 ， SC1观察到不同的行为 ， 蚀刻氮化钛天然氧化物和氮化钛膜 ， 但蚀刻的产物停留在氮化钛抵抗处 ， 在剩余的氮化钛膜上保持一定的抵抗粘附 。
【华林科纳的晶片湿法刻蚀研究】已经提出了各种方法来描述蚀刻剂的扩散 ， 虽然参数测试是耗时的 ， 但已经开发了新的方法 ， 以获得对抗蚀剂能力的快速响应 ， 以确保对通过聚合物厚度的扩散的完美保护 。 C(V)测量是最准确的 ， 甚至比在真实设备上的参数测试更准确 ， 椭圆偏振法的结果可能很难单独解释 ， 首先结果显示了选择一个相关的抵抗/蚀刻夫妇的重要性 ， 蚀刻剂的尺寸(pH ， 分子)和抗蚀剂的厚度是确保在整个湿蚀刻过程中良好的材料免受聚合物保护的关键 。 此外 ， 虽然湿蚀刻剂的温度影响了它们通过抗蚀剂的扩散 ， 但抗蚀剂的烘烤降低了聚合物的自由体积 ， 因此湿蚀刻剂的扩散 。
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