结论
【不同酸的浓度和温度控制ZnO蚀刻的特征】我们已经表明 ， 对于给定的具有固定晶界蚀刻电位分布的多晶ZnO:Al薄膜 ， 可以通过改变酸的类型、温度和浓度来控制凹坑覆盖范围 。 根据最近开发的多晶ZnO:Al蚀刻模型解释了这些结果[10
。 晶界腐蚀电位的建议阈值与由腐蚀速率确定的假活化能有关 。 对于强离解酸(HCl)或大的弱离解有机酸(CH3CO2H) ， 升高温度或降低浓度会降低蚀刻阈值 ， 导致更高的凹坑密度 。 这些蚀刻特性在单晶ZnO晶片上得到证实 。 还表明 ， 通过降低少量弱解离酸(HF)的浓度 ， 弹坑形状可以从水平限制变为垂直限制 。 对每一种腐蚀行为给出了可能的物理解释 。
