硬件|SK海力士宣布向英伟达提供业内首批HBM3 DRAM
SK 海力士刚刚宣布 , 其已开始量产业内性能领先的 HBM3 DRAM 存储器 。去年 10 月 , 该公司率先发布了 HBM3 开发公告 。七个月后 , SK 海力士再次传达了巩固其在高端 DRAM 市场的领导地位的想法 。
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随着人工智能和大数据等尖端技术的加速发展 , 全球主要科技公司也在积极寻求应对快速增长的数据量的方法 。
与传统动态随机存储器(DRAM)相比 , 高带宽缓存(HBM)在数据处理的速度和性能方面都具有显著的竞争力 。
从诞生之初 , 它就引起了行业内的广泛关注 , 且近年得到了越来越多的采用 。
以英伟达为例 , 这家 GPU 巨头于近期完成了对 SK 海力士 HBM3 样品的性能评估 , 预计相关产品可于今年 3 季度开始出货 。
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为满足客户需求 , SK 海力士将遵循英伟达的新品发布时间表 。在上半年扩大了 HBM3 的量产后 , 备受期待的 NVIDIA H100 , 也将为全球客户带来业内领先的高性能加速器系统 。
规格方面 , SK 海力士的 HBM3 有望大幅提升加速计算应用的性能表现 —— 可提供高达 819 GB/s 的缓存带宽 , 相当于每秒传输 163 部 @ 5GB 的全高清(FHD)电影 。
SK 海力士总裁兼首席营销官 Kevin(Jongwon)Noh 表示 , 该公司正通过与 NVIDIA 的密切合作 , 以争取在高端 DRAM 市场获得一流的竞争力 。
而他们的终极目标 , 就是成为一家通过持续开放合作 , 深入理解并满足客户需求的解决方案提供商 。
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