华林科纳硅片清洗处理对红外光谱分析的 Si SiO2 界面的影响( 二 )
【华林科纳硅片清洗处理对红外光谱分析的 Si SiO2 界面的影响】总之 ， 报道的结果显示了HF最终步骤清洗对热生长氧化物结构的影响 。 此外 ， 与用H、SO4或RCA最后清洗获得的层相比 ， 这些层具有更大的压缩应力 ， 这是由于不同的界面过渡层厚度 。 此外 ， 退火处理可以改变应力值 。
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