华林科纳湿法清洗中去除硅片表面的颗粒( 二 )


中的下列方程 , 金属氧化物颗粒的ζ电势在酸性溶液中为正 , 在碱性溶液中为负
低pH值:M-OH+H \"+OH
-- M-OH;+ OH高pH值:M — OH + H\" + OH
m-OH * H \"+OH
-- M-O+HCO+H
此外 , 据报道 , 亲水性(覆盖有氧化膜)和疏水性(裸硅表面)晶片在水中都表现出负表面电荷 。 将这些观察结果与图1所示的结果联系起来 , 据信在碱性溶液中 , 晶片表面和颗粒的ζ电势都显示出负电荷 。 结果 , 晶片表面和颗粒被认为在碱性溶液中是电排斥的 。 这表明碱性溶液是有益的用于从晶片表面去除颗粒 。 B.晶片清洗高压碱性溶液RCA清洗方法[2
是一种主要的湿法硅晶片清洗方法 , 它采用nh4h-H2 2”H2O溶液作为碱性溶液 。 氨水-二H2O溶液通常采用1 : 1 : 5的混合比(氨水:HCO:氢) 。 图3显示了NH4 H-Hz z-H溶液中各种NH4OH含量与溶液pH值之间的关系 。 如图3所示 , 1∶1∶5溶液的pH值为9. 然而 , 图1和2所示的结果表明NH4OH-H2O ‖- H中的NH4OH含量;o如果溶液专门用于去除颗粒 , 则可以减少 。

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