总结
【通过新型蚀刻和清洁方法改善半绝缘InP衬底的表面质量】我们研究了制备过程中外延InP晶片的湿法化学清洗工艺 ， 并引入了一种新的清洗方法 ， 即在标准酸洗工艺中加入氢氧化钠溶液 ， 以减少表面硅污染 。 TOF-SIMS数据清楚地表明 ， 氢氧化钠蚀刻比高频蚀刻更有效地去除硅污染 ， 并且通过在清洗过程中将两种配方结合在一起 ， 已经获得了高效的硅去除系统 。 采用这种新型清洗工艺清洗的磷化铟晶片的均方根值为0.366纳米 ， 显示出优异的表面形貌 。
总结
【通过新型蚀刻和清洁方法改善半绝缘InP衬底的表面质量】我们研究了制备过程中外延InP晶片的湿法化学清洗工艺 ， 并引入了一种新的清洗方法 ， 即在标准酸洗工艺中加入氢氧化钠溶液 ， 以减少表面硅污染 。 TOF-SIMS数据清楚地表明 ， 氢氧化钠蚀刻比高频蚀刻更有效地去除硅污染 ， 并且通过在清洗过程中将两种配方结合在一起 ， 已经获得了高效的硅去除系统 。 采用这种新型清洗工艺清洗的磷化铟晶片的均方根值为0.366纳米 ， 显示出优异的表面形貌 。
