之后 ， 加入阿迪水洗步骤以提高表面羟基的密度 ， 从而引发结合 。 然后在低于30℃的温度下对键合晶片对进行键合后退火约4小时 ， 以提高键合强度 。 使用红外成像检查键合晶片 ， 以检查界面空隙的形成 。 为了完成层转移过程 ， 对顶部硅施主晶片进行研磨 ， 以便转移衬底晶片上的锗/氮化硅层堆叠 。 随后使用四甲基氢氧化铵(TMAH)进行湿法蚀刻 ， 以完全去除硅施主晶片 。 考虑到硅对锗的高选择性 ， 蚀刻停止发生在原来的锗/硅界面 。
该锗/硅界面层随后将通过化学和机械抛光去除 。 我们的工艺使用两个硅晶片 ， 硅施主晶片和硅衬底晶片 ， 因此可扩展到所有晶片尺寸 。 x射线衍射(XRD)分析用于表征锗薄膜质量 ， 参考制造耿氏晶片后的GOS ， 结果如图4所示.XRD分析表明 ， 锗外延层的晶体质量没有明显变化 ， 其峰值强度和曲线形状与硅晶片上的锗相当 。
图 。 4.耿和GOS锗外延层的XRD图谱 。
总结
【华林科纳-----锗对氮化硅中红外集成光子学的波导】总之 ， 含有失配位错的缺陷层可以通过层转移暴露出来 ， 并通过化学机械抛光去除 ， 从而在覆层下的SiNx上提供高质量的锗层 。 进行模拟以研究GON平台提供更小的通道弯曲半径的可行性 。 波导在GON晶片上制造 ， 并在3.8lm波长下表征 。 在半径为5毫米的GON上的弯曲损耗为0.1460.01分贝/弯曲 ， 传播损耗为3.3560.5分贝/厘米 。 这些损失有望通过使用先进的工艺(如电子束光刻和深反应离子刻蚀)或不的结构来提高侧壁质量来进一步降低 。
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