中芯国际公布疫情后三大趋势！二代FinFET逼近台积电7nm，8寸扩产进度恐遭拖后( 三 )_本文转载自公众号问芯Voice（ID：semic

首先是中芯国际在高端工艺技术上的冲刺成果， Co-CEO 梁孟松指出，第一代 FinFET 制程 14nm 已开始小量产出， 2019 年第四季贡献营收 1% ，但 14nm 真正营收和产能放量会是在 2020 年底，主要的应用包含高端消费电子产品、高速运算，低阶 AP 和 Baseband、AI、汽车应用等。

梁孟松表示， 14nm 制程的产能将从 3000 片扩大到 15000 片，这中间会有三个时程：2020 年 3 月扩产到 4000 片、7 月到 9000 片、12 月朝 15000 片迈进。

在第二代 FinFET 制程 N+1 方面， 2019 年第四季进入 NTO（New Tape-out）阶段，目前正处于客户产品认证期，预计 2020 年第四季可以看到小量产出。

由于中芯国际对于第二季 FinFET 技术一直没有明确定义在 7nm 或 8nm ，只是对外表示是“N+1” ，在会议上，有投资人提出中芯的 N+1 制程与台积电 7nm 制程的比较。

梁孟松分析， N+1 与中芯自己的 14nm 制程比较，效能增加 20%、功耗减少 57%、逻辑面积减少 63%、SoC 面积减少 55% 。