中芯国际公布疫情后三大趋势！二代FinFET逼近台积电7nm，8寸扩产进度恐遭拖后( 四 )_本文转载自公众号问芯Voice（ID：semic

如果看功耗等指标，其实 N+1 与 7nm 制程十分接近，唯一不同在于， N+1 的效能还追不上 7nm ，这也是中芯 N+1 与 7nm 的最大差异。

但也是因为 N+1 制程瞄准的应用是低成本 low-cost 产品，这算是非常特别的半导体制程世代。

梁孟松强调， FinFET 制程的产能非常昂贵，平均每扩充 1000 片需要投资 1 亿～2 亿美元，因此公司内部对于产能扩充的速度非常小心，会全面评估客户需求、预算，以及让毛利率受到的冲击降至最低。

再者，日前光刻机大厂 ASML 的 EUV 极紫外光机台无法进入的问题，中芯认为，在 N+1 和 N+2 制程技术上，暂时不用 EUV ，等位设备就绪之后，才会将 N+2 转到 EUV 制程。

另外，在 14nm 和 N+1 两代 FinFET 制程之间，还有一个 12nm ，这是 14nm 技术的微缩版本，目前 12nm 的 NTO 非常多，甚至比 14nm 多很多，该制程主要是瞄准低阶 AP 处理器等。

中芯国际公布疫情后三大趋势！二代FinFET逼近台积电7nm，8寸扩产进度恐遭拖后( 四 )