深度解读芯片刻蚀: 国产5nm机器就绪, 2018全球销售额破历史新高( 五 )
现代等离子体刻蚀机能产生高密度等离子体，具有产生等离子体的独立射频功率源和硅片加偏执电压、终点监测、气体压力和流量控制，并集成对刻蚀参数进行控制的软件。
随着国际上高端量产芯片从14nm到10nm阶段向7nm、5nm甚至更小的方向发展，当前市场普遍使用的沉浸式光刻机受光波长的限制，关键尺寸无法满足要求，必须采用多重模板工艺，利用刻蚀工艺实现更小的尺寸，使得刻蚀技术及相关设备的重要性进一步提升。
下图展示10nm多重模板工艺原理，涉及多次刻蚀。
国内刻蚀设备有望突破国际垄断
在晶圆加工的薄膜沉积设备、光刻机、刻蚀机三类核心设备中，刻蚀机国产化率最高，而且比率逐年上升、速度最快。根据SEMI预计，到2020年，国内刻蚀机国产率将达到20%。
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