台积电3D芯片2021年量产：面向5nm工艺苹果或首发( 二 )_本文转载自超能网

在半导体制造黄金定律摩尔定律逐渐失效的情况下，单纯指望制造工艺来提高芯片集成度、降低成本不太容易了，所以先进封装技术这几年发展很快。此前台积电推出了扇出型晶圆级封装（InFO WLP）以及CoWoS封装工艺，使得芯片有更好的电气特性，能实现更高的内存带宽和低功耗运行能力，能使到移动设备有更好性能和更低功耗。

不过InFO WLP、CoWoS本质上还是2.5D封装，业界追求的一直是真3D封装，去年台积电宣布推出Wafer-on-Wafer（WoW）封装技术，通过TSV硅穿孔技术实现了真正的3D封装，而这个封装技术主要用于未来的7nm及5nm换工艺。

虽然台积电在上周的说法会上没有明确提及他们首发的3D IC工艺是否为Wafer-on-Wafer（WoW）封装技术，但猜测起来就是这个新技术了，毕竟3D封装是2019年的热门新技术，英特尔之前推出的Foreros封装也是3D芯片封装的一种。

根据台积电的说法，他们的3D IC封装技术已经完成了技术开发，不过2021年才会量产，这个时候他们的主力工艺还是5nm EUV级别的。至于哪家客户都成为第一个吃螃蟹的，预计苹果还是最先采用台积电3D封装的公司，以往也是苹果率先使用台积电2.5D封装的，他们有这个需求，也有这个资本。