原创<br> 三星往事(17)_：三星往事文|曹亦卿终结英特尔半导体

也正是这次收购，三星开启了在存储器领域的霸业征途，走出了一条“贸工技”的道路。

1983年初，三星在美国加州圣克拉拉设立了一个基地，为DRAM（动态随机存储器）技术寻找授权方，并从美国招募半导体人才。在被日立、摩托罗拉、NEC、德州仪器和东芝拒绝了之后，三星获得了镁光科技的64K DRAM设计授权和Zytrex公司的高速MOS工艺授权。

不过这一过程也并不顺利。镁光曾以400万美元的价格向三星提供较为落后的设计图纸，后来却以偷看文献为借口反悔，并将三星方面人员赶了出去。

技术封锁，往往催生不择手段的突围。

此时韩国开始举国家之力吸引海外人才归国，三星也大力从日本企业挖人、挖技术。终于，在1983年底，三星从无到有成功开发出64K DRAM芯片，震惊了美国和日本。

1983年11月，三星对64K DRAM芯片进行了首次取样——虽然仍落后于当时最先进的日本技术将近5年时间，但三星的这一突破为其在10年后成为全球最大存储器芯片生产商奠定了基础，踏出了三星半导体实现代际突破的第一步。

原创<br> 三星往事(17)