国产3nm半导体工艺又刷屏了先别沸腾了：量产还需多年( 二 )_今天有多家媒体报道了中国科研人员实现

其中，500纳米栅长NC-FinFET器件的驱动电流比常规HfO2基FinFET器件（非NC-FinFET）提升了260%且电流开关比（Ion/Ioff）大于1x106，标志着微电子所在新型NC-FinFET器件的研制方面取得了重要进展。

上述最新研究结果发表在国际微电子器件领域的顶级期刊《IEEE Electron Device Letters》上（DOI: 10.1109/LED.2019.2891364），并迅速受到国际多家研发机构的高度关注。

该项集成电路先导工艺的创新研究得到国家科技重大专项02专项和国家重点研发计划等项目的资助。

图1 （a）负电容FinFET基本结构；（b-c）三维器件沟道结构与铁电HZO膜层结构；

（d-e）器件I-V与SS特性；（f）最新器件性能国际综合对比（SS与回滞电压越小越好）

官方通报里用词要严谨的多，提到的3nm实际上说的是3nm氧化物薄膜的厚度，没有确定说是3nm工艺，不过这个技术也确实是用于5nm节点之后的工艺中。

国产3nm半导体工艺又刷屏了先别沸腾了：量产还需多年( 二 )