最全芯片产业报告出炉，计算、存储、模拟IC一文扫尽(18)_作者：智东西内参来源：智东西看点：从

▲主要 DRAM 存储器公司

DRAM 节点尺寸目前是由器件上最小的半间距来定义的，美光 DRAM 基于字线，三星和 SK 海力士则基于主动晶体管，美光科技、三星和 SK 海力士作为 DRAM 市场的主导厂商，这三家公司拥有各自的工艺节点。由于解决了这些技术节点问题，美韩三大厂商凭借领先的工艺水平拉开了与其它存储器厂商的差距。

2、 NAND Flash

NAND Flash 是 Flash 存储器中最重要的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。 NAND Flash 存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储。

Flash 的内部由金属氧化层、半导体、场效晶体管（MOSFET）构成，里面有个悬浮门（Floating Gate），是真正存储数据的单元。数据在 Flash 内存单元中是以电荷（electrical charge）形式存储的。存储电荷的多少，取决于图中的控制门（Control gate）所被施加的电压，它控制的是向存储单元中冲入电荷还是使其释放电荷。而数据的表示，以所存储的电荷的电压是否超过一个特定的阈值 Vth 来表示。对于 NAND Flash 的写入（编程），就是控制 Control Gate 去充电（对 Control Gate 加压），使得悬浮门存储的电荷够多，超过阈值Vth，就表示 0。对于 NAND Flash 的擦除（Erase），就是对悬浮门放电，低于阀值 Vth，就表示 1。