最全芯片产业报告出炉，计算、存储、模拟IC一文扫尽(20)_作者：智东西内参来源：智东西看点：从

▲闪存芯片存储原理

▲SLC、 MLC、 TLC 性能对比

从工艺上看， NAND Flash 可以分为 2D 工艺和 3D 工艺，传统的 2D 工艺类似于“一张纸”，但“一张纸”的容量是有瓶颈的，三星、英特尔、美光、东芝四家闪存大厂为了满足大容量终端需求，均开始研发多层闪存（3D NAND Flash），英特尔和美光引入市场的 3D Xpoint 是自 NAND Flash 推出以来，最具突破性的一项存储技术，它通过单层存储器堆叠突破了 2D NAND 存储芯片容量的极限，大幅提升了存储器容量，因此技术 3D NAND 具备了四个优势：一是比 2D NAND Flash 快 1000 倍；二是成本只有 DRAM 的一半；三是使用寿命是 2D NAND 的 1000 倍；四是密度是传统存储的 10 倍。

除了传统存储巨头三星电子、 SK 海力士、美光科技，东芝和西部数据也是 NAND FLASH 领域不可忽视的重要力量。