第二代STT-MRAM自旋磁阻内存试产：不怕掉电有望变革SSD_专注于MRAM(磁阻内存)研究的Everspin最

专注于MRAM(磁阻内存)研究的Everspin最近宣布，继去年底首次提供预产样品之后，现在已经开始试产第二代STT-MRAM(自旋转移矩磁阻内存)。

MRAM是一种非易失性存储，其前景被广泛看好，Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行业巨头多年来一直都在研究，读写速度可以媲美SRAM、DRAM等传统内存，当同时又是非易失性的，也就是可以断电保存数据，综合了传统内存、闪存的有点。

STT-MRAM则进一步通过自旋电流实现数据写入，具备结构简单、成本低、损耗小、速度快等一系列优点，但容量密度提升困难。

早在2012年的时候，Everspin就发布了第一代STT-MRAM，40nm工艺制造，封装在一颗DDR3标准模块中，兼容JEDEC DDR3-800，但容量只有256Mb(32MB)，使其主要只能用于嵌入式领域。

最新的第二代STT-MRAM用上了GlobalFoundries 28nm制造工艺，封装于DDR4，支持8-bit或者16-bit界面，传输率1333MT/s(667MHz)，容量增大到了1Gb(128MB)，翻了两番。

第二代STT-MRAM自旋磁阻内存试产：不怕掉电有望变革SSD