第二代STT-MRAM自旋磁阻内存试产:不怕掉电 有望变革SSD( 二 )

这或许能让MRAM走进更广泛的应用领域,但要想追上DRAM内存的存储密度还有很长的路要走,更别说媲美NAND闪存了。

因此,在很长一段时间内,都不太可能看到机遇STT-MRAM的内存或存储产品,但或许能实现混合式SSD,比如讲部分或全部DRAM缓存更换成MRAM,性能更强,还不怕掉电变砖。

事实上,IBM、希捷都在这么做了,近两年还都展示了一些原型。

Everspin还有一个独特优势,那就是唯一一个能提供独立MRAM芯片的厂商,而在未来路线图上,他们计划下一步应用GlobalFoundries 22nm FD-SOI工艺,进一步提升STT-MRAM的性能和容量。

第二代STT-MRAM自旋磁阻内存试产:不怕掉电 有望变革SSD

第二代STT-MRAM自旋磁阻内存试产:不怕掉电 有望变革SSD

第二代STT-MRAM自旋磁阻内存试产:不怕掉电 有望变革SSD

推荐阅读