官宣！SK海力士量产业界首款128层4D NAND芯片_：官宣！SK海力士量产业界首款128层4DN

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SK海力士6月26日正式宣布，已成功开发并开始量产世界上第一款128层1Tb TLC 4D NAND闪存芯片。而就在8个月前，该公司宣布了96层4D NAND芯片。

这款128层的1Tb NAND闪存芯片实现了业界最高的垂直堆叠，拥有3600多亿个NAND单元，每个单元在一个芯片上存储3位。为了实现此工艺，SK海力士在自家的4D NAND技术上应用了大量创新技术，包括“超均匀垂直蚀刻技术”、“高可靠性多层薄膜细胞形成技术”和超快速低功耗电路设计等。

新产品实现了TLC NAND闪存业界最高的1Tb密度。许多存储器公司已经开发了1Tb QLC NAND产品，但SK 海力士是第一个将1Tb TLC NAND商业化的。TLC在NAND市场中占有85%以上的份额，具有良好的性能和可靠性。

图片来源: SK Hynix

SK海力士的4D NAND最大的优势是芯片尺寸小，这使得超高密度NAND闪存得以实现。此前，该公司在2018年10月宣布了创新的4D NAND，是一款结合了3D CTF (电荷陷式Flash) 设计与PUC (Peri Under Cell) 技术的产品。

官宣！SK海力士量产业界首款128层4D NAND芯片