官宣！SK海力士量产业界首款128层4D NAND芯片( 二 )_：官宣！SK海力士量产业界首款128层4DN

在相同的4D平台和工艺优化下，SK海力士在现有96层NAND的基础上又增加了32层，使制造工艺总数减少了5%。与以往技术迁移相比，96层向128层NAND过渡的投资成本降低了60%，大大提高了投资效率。

相较于SK 海力士的96层4D NAND，新的128层1Tb 4D NAND可使每块晶圆的位产能提高40%。SK海力士将从今年下半年开始发货128层4D NAND闪存，同时继续推出各种解决方案。

由于该产品采了单芯片四平面架构，数据传输速率在1.2V时可以达到1400mbps，可以支持高性能、低功耗的移动解决方案以及企业SSD。

SK海力士计划明年上半年为主要旗舰智能手机客户开发下一代UFS 3.1产品。凭借128层1Tb NAND闪存，相较于512Gb NAND，1Tb产品所需的NAND数量将减少一半。海力士也将为客户提供一个能在1毫米薄的封装中，功耗降低20%的移动解决方案。

此外，公司计划于明年上半年开始量产一款2TB的客户端SSD，带有内部控制器及软件。16TB和32TB用于云数据中心的NVMe SSD也将于明年发布。

“SK海力士凭借这款128层4D NAND芯片，确保了其NAND业务的基本竞争力，”海力士执行副总裁兼全球营销主管Jong Hoon Oh表示，“凭借这款产品以及业界最上乘的堆积与密度，我们将在合适时间为客户提供多种解决方案。” (编译：Kevin)

官宣！SK海力士量产业界首款128层4D NAND芯片( 二 )