没有DRAM缓存的固态硬盘是如何工作的？( 二 )
图3/10
通过SRAM缓存优化SSD性能：
不同DRAM-Less固态硬盘的SRAM缓存容量或许会不同，对于TR200来说它拥有32MB的主控内缓存。4K随机读取速度达到45MB/s以上，不逊色于传统独立DRAM缓存固态硬盘。
图4/10
大家都知道闪存的写入速度比读取要慢，而在上图TxBench测试中可以看到，无论是128KB的大区块还是4KB的零碎数据，随机（Random）写入与顺序（Sequential）写入的数值都差不多。这是因为东芝在TR200的固件中设计了合并写入，不同程序产生的零碎写入会被整合为能够发挥多通道并发优势的形式写入：
图5/10
以东芝64层堆叠技术的BiCS3闪存为例，它的一个Page页面容量为16KB，在绑定多通道并发工作（类似RAID0，但是安全有保障）后，小的、零碎的写入请求都会在SRAM缓存中预先整合为类似大块并发写入。
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